Producentens produktnummer:
IRLB8314PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IRLB8314PBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
808 Stk Nye Originaler På Lager
12807462
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IRLB8314PBF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Serie
HEXFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
171A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 100µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
5050 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
IRLB8314
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
64-0101PBF-DG
2156-IRLB8314PBF
SP001572766
IRLB8314PBF-DG
64-0101PBF
448-IRLB8314PBF
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRL3103S
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SPP02N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
