Producentens produktnummer:
IRFP4668PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IRFP4668PBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Lager:
8420 Stk Nye Originaler På Lager
12804505
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IRFP4668PBF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Serie
HEXFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
520W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-247AC
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
IRFP4668
Datablad og dokumenter
Datablade
Datasheets
Design ressourcer
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
25
Andre navne
Q8238215
AUXSNFP4668-NDL
AUXSNFP4668
SP001572854
AUXSNFP4668-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRFS7730-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRF7466TR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
