Producentens produktnummer:
IRFB3207PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IRFB3207PBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lager:
12803146
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IRFB3207PBF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Serie
HEXFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
75 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
7600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
330W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
IRFB3207
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
100
Andre navne
SP001572410
IFEINFIRFB3207PBF
2156-IRFB3207PBF
*IRFB3207PBF
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
