IRF5305L
Producentens produktnummer:

IRF5305L

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IRF5305L-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262

Lager:

RFQ Online
13064093
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IRF5305L Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
-
Serie
HEXFET®
Emballage
Tube
Status for del
Obsolete
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
55 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad og dokumenter

Datablade
IRF5305S/L
Datasheets
IRF5305L
HTML datablade
IRF5305L-DG

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
*IRF5305L

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
infineon-technologies

IRF7459PBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF3205ZSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFI7446GPBF

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP

infineon-technologies

IRF8714PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO