IRF3710PBF

Producentens produktnummer:

IRF3710PBF

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IRF3710PBF-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Lager:

3201 Stk Nye Originaler På Lager

12805297

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

IRF3710PBF Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Infineon Technologies

Emballage

Tube

Serie

HEXFET®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

100 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

57A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

3130 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

200W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

TO-220AB

Pakke / etui

TO-220-3

Basis produktnummer

IRF3710

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

50

Andre navne

INFIRFIRF3710PBF

2156-IRF3710PBFINF

*IRF3710PBF

SP001551058

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

IRF7433

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO

infineon-technologies

IRF5803TR

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

infineon-technologies

IRLB4132PBF

MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB

infineon-technologies

IRFR4104TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK