Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
IPW65R190E6FKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPW65R190E6FKSA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Lager:
RFQ Online
12805806
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
M
t
k
L
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPW65R190E6FKSA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
-
Serie
CoolMOS™
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 730µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
151W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
PG-TO247-3-1
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
IPW65R
Datablad og dokumenter
Datablade
IPx65R190E6
Datasheets
IPW65R190E6FKSA1
HTML datablade
IPW65R190E6FKSA1-DG
Yderligere Information
Standard pakke
240
Andre navne
IPW65R190E6-DG
2156-IPW65R190E6FKSA1-IT
IPW65R190E6
INFINFIPW65R190E6FKSA1
SP000863906
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
STW28N60DM2
FREMSTILLER
STMicroelectronics
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
STW28N60DM2-DG
ENHEDSPRIS
1.76
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
FCH190N65F-F155
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
415
DELE NUMMER
FCH190N65F-F155-DG
ENHEDSPRIS
2.95
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
STW30N80K5
FREMSTILLER
STMicroelectronics
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
STW30N80K5-DG
ENHEDSPRIS
4.39
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
TK20N60W,S1VF
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
15
DELE NUMMER
TK20N60W,S1VF-DG
ENHEDSPRIS
2.83
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
STW24N60M2
FREMSTILLER
STMicroelectronics
ANTAL TILGÆNGELIGT
562
DELE NUMMER
STW24N60M2-DG
ENHEDSPRIS
1.39
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK