IPW60R070P6XKSA1
Producentens produktnummer:

IPW60R070P6XKSA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IPW60R070P6XKSA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Lager:

240 Stk Nye Originaler På Lager
12823210
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IPW60R070P6XKSA1 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4750 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
391W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
PG-TO247-3
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
IPW60R070

Datablad og dokumenter

Datablade
IPW60R070P6
Datasheets
IPW60R070P6XKSA1
HTML datablade
IPW60R070P6XKSA1-DG

Yderligere Information

Standard pakke
30
Andre navne
SP001114660
IPW60R070P6XKSA1-DG
448-IPW60R070P6XKSA1

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
littelfuse

IXTQ160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO3P

fairchild-semiconductor

FCI11N60

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

infineon-technologies

IRF6617TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK