Producentens produktnummer:
IPT60R080G7XTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPT60R080G7XTMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Lager:
5465 Stk Nye Originaler På Lager
12803288
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPT60R080G7XTMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 490µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1640 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
167W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-HSOF-8-2
Pakke / etui
8-PowerSFN
Basis produktnummer
IPT60R080
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,000
Andre navne
INFINFIPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1DKR
IPT60R080G7XTMA1CT
IPT60R080G7XTMA1TR
2156-IPT60R080G7XTMA1
SP001615904
IPT60R080G7XTMA1-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31