Producentens produktnummer:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Lager:
531 Stk Nye Originaler På Lager
12803696
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPP041N04NGXKSA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
40 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 45µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4500 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
94W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
PG-TO220-3-1
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
IPP041
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
