Producentens produktnummer:
IPN50R650CEATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPN50R650CEATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Lager:
13064104
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPN50R650CEATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
-
Serie
CoolMOS™ CE
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status for del
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
500 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
5W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-SOT223-3
Pakke / etui
TO-261-4, TO-261AA
Basis produktnummer
IPN50R650
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
IPN50R650CEATMA1TR
IPN50R650CEATMA1-ND
SP001434880
INFINFIPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1DKR
IPN50R650CEATMA1CT
2156-IPN50R650CEATMA1
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRF2204LPBF
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO