IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Producentens produktnummer:

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 5.2A (Tc) 31.3W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-52

Lager:

12976583
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ PFD7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
230 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
31.3W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TDSON-8-52
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Basis produktnummer
IPLK60

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
5,000
Andre navne
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1CT
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1DKR
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1TR
SP005354001

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TKR74F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM

renesas-electronics-america

RJK5030DPD-03#J2

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

diotec-semiconductor

2N7002W

MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5

renesas-electronics-america

HAT1044M-EL-E

HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE