Producentens produktnummer:
IPD22N08S2L50ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Lager:
5000 Stk Nye Originaler På Lager
12800697
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPD22N08S2L50ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
75 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 31µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
630 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
75W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3-11
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD22N08
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPI120N04S4-01M
MOSFET N-CH TO262-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
