IPD068N10N3GATMA1
Producentens produktnummer:

IPD068N10N3GATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IPD068N10N3GATMA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Lager:

10507 Stk Nye Originaler På Lager
13064013
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IPD068N10N3GATMA1 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status for del
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD068

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
infineon-technologies

IPB65R045C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

infineon-technologies

IPD530N15N3GBTMA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

infineon-technologies

IPB45N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

infineon-technologies

IPW60R041C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3