Producentens produktnummer:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Lager:
12848574
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
nlJP
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPD053N06N3GBTMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
-
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 58µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
115W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD053N
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
FDD86540
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
5000
DELE NUMMER
FDD86540-DG
ENHEDSPRIS
0.95
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQI5N50CTU
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
