Producentens produktnummer:
IPB80N06S407ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB80N06S407ATMA2-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Lager:
1176 Stk Nye Originaler På Lager
12800347
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB80N06S407ATMA2 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 40µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
79W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3-2
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB80N
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
2156-IPB80N06S407ATMA2
448-IPB80N06S407ATMA2DKR
IFEINFIPB80N06S407ATMA2
SP001028672
IPB80N06S407ATMA2-DG
448-IPB80N06S407ATMA2CT
448-IPB80N06S407ATMA2TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPF09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220