Producentens produktnummer:
IPB80N06S209ATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB80N06S209ATMA2-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Lager:
912 Stk Nye Originaler På Lager
12804992
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
js2v
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB80N06S209ATMA2 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
55 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 125µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
190W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3-2
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB80N
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
IPB80N06S209ATMA2-DG
SP001061716
2156-IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2CT
IFEINFIPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2DKR
IPB80N06S209ATMA2TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
BUK9612-55B,118
FREMSTILLER
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILGÆNGELIGT
16996
DELE NUMMER
BUK9612-55B,118-DG
ENHEDSPRIS
0.73
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB
IRF4905SPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
