Producentens produktnummer:
IPB65R110CFDATMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB65R110CFDATMA2-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Lager:
1980 Stk Nye Originaler På Lager
12800962
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
VYYj
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB65R110CFDATMA2 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
277.8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB65R110
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
SP001977034
448-IPB65R110CFDATMA2CT
448-IPB65R110CFDATMA2DKR
IPB65R110CFDATMA2-DG
448-IPB65R110CFDATMA2TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPDH6N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3