Producentens produktnummer:
IPB60R060P7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB60R060P7ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Lager:
891 Stk Nye Originaler På Lager
12805176
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB60R060P7ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 800µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2895 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
164W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB60R060
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
IPB60R060P7
IPB60R060P7ATMA1DKR
IPB60R060P7ATMA1-DG
IPB60R060P7ATMA1TR
IPB60R060P7ATMA1CT
SP001664882
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRFB23N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
IRF5802TR
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
IPB65R310CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
