Producentens produktnummer:
IPB026N06NATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB026N06NATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Lager:
2943 Stk Nye Originaler På Lager
12802834
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB026N06NATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 75µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4100 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB026
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
IPB026N06NATMA1DKR
IPB026N06NTR-DG
IPB026N06NCT
IPB026N06N-DG
IPB026N06NATMA1TR
IPB026N06NTR
IPB026N06NDKR-DG
SP000962142
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT-DG
IPB026N06NDKR
IPB026N06N
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
