Producentens produktnummer:
IPB024N08N5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB024N08N5ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Lager:
990 Stk Nye Originaler På Lager
12800645
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB024N08N5ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
80 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.8V @ 154µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
8970 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
214W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB024
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
IPB024N08N5ATMA1-DG
448-IPB024N08N5ATMA1TR
INFINFIPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1DKR
SP001227044
2156-IPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
