Producentens produktnummer:
BSC16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Lager:
6986 Stk Nye Originaler På Lager
12799411
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
BSC16DN25NS3GATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
250 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 32µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
62.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TDSON-8-5
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Basis produktnummer
BSC16DN25
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
5,000
Andre navne
BSC16DN25NS3GTR-DG
BSC16DN25NS3GDKR
BSC16DN25NS3GATMA1DKR
BSC16DN25NS3GATMA1TR
BSC16DN25NS3GCT
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
BSC16DN25NS3GATMA1CT
BSC16DN25NS3GCT-DG
BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3 G
BSC16DN25NS3GDKR-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
