G130N06M
Producentens produktnummer:

G130N06M

Product Overview

Producent:

Goford Semiconductor

Delnummer:

G130N06M-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

Lager:

12993058
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

G130N06M Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Goford Semiconductor
Emballage
-
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
Standard
Strømtab (maks.)
85W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
1,600
Andre navne
4822-G130N06MTR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Alternative modeller

DELENUMMER
G130N06M
FREMSTILLER
Goford Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
780
DELE NUMMER
G130N06M-DG
ENHEDSPRIS
0.32
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DMTH12H007SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

diodes

DMP3007LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R

diodes

DMP27M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060

diodes

DMPH16M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060