FDA18N50
Producentens produktnummer:

FDA18N50

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FDA18N50-DG

Beskrivelse:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN

Lager:

1564 Stk Nye Originaler På Lager
12946683
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDA18N50 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
UniFET™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
500 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
239W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3PN
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3

Datablad og dokumenter

Datablade
FDA18N50 Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
169
Andre navne
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3