FCP130N60
Producentens produktnummer:

FCP130N60

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FCP130N60-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3

Lager:

127 Stk Nye Originaler På Lager
12946034
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FCP130N60 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3590 pF @ 380 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
278W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
127
Andre navne
ONSFSCFCP130N60
2156-FCP130N60

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
nxp-semiconductors

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP13N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP11N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1