EPC2307ENGRT
Producentens produktnummer:

EPC2307ENGRT

Product Overview

Producent:

EPC

Delnummer:

EPC2307ENGRT-DG

Beskrivelse:

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 48A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)

Lager:

26153 Stk Nye Originaler På Lager
13001704
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

EPC2307ENGRT Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
EPC
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 4mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
10.6 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1401 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
7-QFN (3x5)
Pakke / etui
7-PowerWQFN
Basis produktnummer
EPC2307

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
917-EPC2307ENGRTCT
917-EPC2307ENGRTTR
917-EPC2307ENGRTDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
2 (1 Year)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-certificering
Relaterede produkter
micro-commercial-components

MCG10P03-TP

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

microchip-technology

MSC015SMA070J

MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227

icemos-technology

ICE15N60

Superjunction MOSFET

panjit

PJQ1906_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M