Producentens produktnummer:
EPC2016
Product Overview
Producent:
EPC
Delnummer:
EPC2016-DG
Beskrivelse:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Lager:
12815126
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EPC2016 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
EPC
Emballage
-
Serie
eGaN®
Produkt status
Discontinued at Digi-Key
FET-type
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
+6V, -5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
520 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
Die
Pakke / etui
Die
Basis produktnummer
EPC20
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Alternative modeller
DELENUMMER
EPC2016C
FREMSTILLER
EPC
ANTAL TILGÆNGELIGT
177045
DELE NUMMER
EPC2016C-DG
ENHEDSPRIS
1.07
ERSTATNINGSTYPE
Direct
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
