Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
MMDT5551-7-F
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
MMDT5551-7-F-DG
Beskrivelse:
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Lager:
241087 Stk Nye Originaler På Lager
12904282
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
MMDT5551-7-F Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
200mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
160V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
50nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Effekt - Maks.
200mW
Frekvens - Overgang
300MHz
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
SOT-363
Basis produktnummer
MMDT5551
Datablad og dokumenter
Datablade
MMDT5551
Datasheets
MMDT5551-7-F
HTML datablade
MMDT5551-7-F-DG
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
MMDT5551-FDITR
MMDT5551-FDICT
MMDT55517F
MMDT5551-FDIDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
ZHB6718TA
TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223
ZXTC6718MCQTA
PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020
MMDT5451-7-F
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
ZXTD2M832TA
TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP