Producentens produktnummer:
DMT67M8LCGQ-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMT67M8LCGQ-7-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 16A (Ta), 64.6A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Lager:
13270156
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMT67M8LCGQ-7 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2130 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
900mW (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
DMT67
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,000
Andre navne
31-DMT67M8LCGQ-7TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
DMT67M8LCGQ-13
FREMSTILLER
Diodes Incorporated
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
DMT67M8LCGQ-13-DG
ENHEDSPRIS
0.39
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMTH69M8LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMT3009UFVW-7
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23