DMT615MLFV-13

Producentens produktnummer:

DMT615MLFV-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT615MLFV-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V PWRDI3333

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 38A (Tc) 1.76W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Lager:

RFQ Online

12949718

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMT615MLFV-13 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

60 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 38A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

15.5 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1039 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.76W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

PowerDI3333-8 (Type UX)

Pakke / etui

8-PowerVDFN

Basis produktnummer

DMT615

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

DMT615MLFV-13-DG

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252

diodes

DMN55D0UTQ-7

MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

diodes

DMN2170U-7

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

diodes

DMTH10H025LK3Q-13

MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R