DMT6012LPSW-13

Producentens produktnummer:

DMT6012LPSW-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT6012LPSW-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Lager:

RFQ Online

12978514

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMT6012LPSW-13 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

60 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

13.1A (Ta), 31.5A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

22.2 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1522 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

3.1W (Ta), 17.9W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount, Wettable Flank

Pakke med leverandørenheder

PowerDI5060-8 (Type UX)

Pakke / etui

8-PowerTDFN

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

31-DMT6012LPSW-13TR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

diodes

DMN2053UWQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

BSS123K-13

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K

diodes

DMP3056LDMQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R

diodes

DMN4034SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2