DMT6009LSS-13
Producentens produktnummer:

DMT6009LSS-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT6009LSS-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO

Lager:

8665 Stk Nye Originaler På Lager
12889449
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

DMT6009LSS-13 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
10.8A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
1.25W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SO
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
DMT6009

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
DMT6009LSS-13DITR
DMT6009LSS-13DIDKR
DMT6009LSS-13DICT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2744(F)

MOSFET N-CH 50V 45A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A10K3,S5Q

MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J304T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM