DMT6005LSS-13

Producentens produktnummer:

DMT6005LSS-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT6005LSS-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 60 V 13.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Lager:

7982 Stk Nye Originaler På Lager

12893875

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMT6005LSS-13 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

60 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

13.5A (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

47.1 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

2962 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.3W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

8-SO

Pakke / etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis produktnummer

DMT6005

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

DMT6005LSS-13-DG

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

DMT6005LSS-13DICT

DMT6005LSS-13DITR

DMT6005LSS-13DIDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

taiwan-semiconductor

TSM1N45DCS RLG

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM6N60CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251

nexperia

PSMN027-100XS,127

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F

taiwan-semiconductor

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263