Producentens produktnummer:
DMT10H9M9SCT
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMT10H9M9SCT-DG
Beskrivelse:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 99A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
12978966
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMT10H9M9SCT Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
DMT10
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
31-DMT10H9M9SCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMP610DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H032SFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
