DMT10H9M9SCT
Producentens produktnummer:

DMT10H9M9SCT

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT10H9M9SCT-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 99A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3

Lager:

12978966
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

DMT10H9M9SCT Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
99A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
DMT10

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
31-DMT10H9M9SCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DMP610DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMT8008LK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

diodes

DMT10H032SFVW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

DMT12H7M9SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5