DMNH6012LK3Q-13
Producentens produktnummer:

DMNH6012LK3Q-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMNH6012LK3Q-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Lager:

2500 Stk Nye Originaler På Lager
12896550
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

DMNH6012LK3Q-13 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1926 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
DMNH6012

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
DMNH6012LK3Q-13DICT
DMNH6012LK3Q-13-DG
DMNH6012LK3Q-13DITR
DMNH6012LK3Q-13DIDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
taiwan-semiconductor

TSM2328CX RFG

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM7P06CP ROG

MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

diodes

DMP2038USS-13

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM088NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN