Producentens produktnummer:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMN65D8LDW-7-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Lager:
34033 Stk Nye Originaler På Lager
12888929
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMN65D8LDW-7 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
22pF @ 25V
Effekt - Maks.
300mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
SOT-363
Basis produktnummer
DMN65
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
