DMN2450UFD-7

Producentens produktnummer:

DMN2450UFD-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMN2450UFD-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 20 V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3

Lager:

21382 Stk Nye Originaler På Lager

12899559

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMN2450UFD-7 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

20 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

900mA (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.)

±12V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

52 pF @ 16 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

400mW (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

X1-DFN1212-3

Pakke / etui

3-UDFN

Basis produktnummer

DMN2450

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

DMN2450UFD-7-DG

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

DMN2450UFD-7DICT

DMN2450UFD-7DIDKR

DMN2450UFD-7DITR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

taiwan-semiconductor

TSM650P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM600P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP

diodes

DMG2305UX-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

diodes

DMP2035UVT-13

MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26