Producentens produktnummer:
DMN2019UTS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMN2019UTS-13-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Lager:
27844 Stk Nye Originaler På Lager
12891805
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
44qr
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMN2019UTS-13 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
950mV @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
143pF @ 10V
Effekt - Maks.
780mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-TSSOP
Basis produktnummer
DMN2019
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
DMN2019UTS13
DMN2019UTS-13DIDKR
DMN2019UTS-13DICT
DMN2019UTS-13DITR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SSM6P54TU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6
DMNH6022SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
DMNH6022SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
