DMN2009UFDF-7

Producentens produktnummer:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMN2009UFDF-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Lager:

RFQ Online

13002570

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMN2009UFDF-7 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Bulk

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

20 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

12.8A (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

27.9 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±12V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1083 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.3W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakke / etui

6-UDFN Exposed Pad

Basis produktnummer

DMN2009

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

DMN2009UFDF-7-DG

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

31-DMN2009UFDF-7

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO

IQE220N15NM5CGATMA1

TRENCH >=100V