Producentens produktnummer:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMG7N65SJ3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Lager:
12884126
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMG7N65SJ3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
-
Serie
Automotive, AEC-Q101
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-251
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis produktnummer
DMG7N65
Yderligere Information
Standard pakke
75
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
