Producentens produktnummer:
DMG6602SVTQ-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMG6602SVTQ-7-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Lager:
112251 Stk Nye Originaler På Lager
12888030
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMG6602SVTQ-7 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
400pF @ 15V
Effekt - Maks.
840mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakke med leverandørenheder
TSOT-26
Basis produktnummer
DMG6602
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
DMG6602SVTQ-7DIDKR
DMG6602SVTQ-7DITR
DMG6602SVTQ-7DICT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
DMN1003UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
DMN4031SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
