Producentens produktnummer:
DMG4N60SJ3
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMG4N60SJ3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Lager:
12891862
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMG4N60SJ3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
532 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
41W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-251
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis produktnummer
DMG4
Yderligere Information
Standard pakke
75
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMP1009UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
DMN2020UFCL-7
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
DMN2040U-13
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1
