DMG4N60SJ3
Producentens produktnummer:

DMG4N60SJ3

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMG4N60SJ3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Lager:

RFQ Online
12891862
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
PgOK
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

DMG4N60SJ3 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
532 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
41W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-251
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis produktnummer
DMG4

Yderligere Information

Standard pakke
75

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
diodes

DMP1009UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

diodes

DMN2020UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

diodes

DMN2040U-13

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1

diodes

DMN2029UVT-13

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26