DMG4800LSD-13

Producentens produktnummer:

DMG4800LSD-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMG4800LSD-13-DG

Beskrivelse:

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Detaljeret Beskrivelse:

Mosfet Array 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SO

Lager:

15950 Stk Nye Originaler På Lager

12882367

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

DMG4800LSD-13 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays

Producent

Diodes Incorporated

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual)

FET-funktion

Logic Level Gate

Afløb til kildespænding (Vdss)

30V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

8.56nC @ 5V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

798pF @ 10V

Effekt - Maks.

1.17W

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke / etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pakke med leverandørenheder

8-SO

Basis produktnummer

DMG4800

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

DMG4800LSD-13-DG

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

DMG4800LSD-13DIDKR

DMG4800LSD13

DMG4800LSD-13DITR

DMG4800LSD-13DICT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

diodes

2N7002VAC-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

DMT3022UEV-13

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

DMP2200UDW-7

MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363

diodes

2N7002DWS-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363