BSS127SSN-7
Producentens produktnummer:

BSS127SSN-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

BSS127SSN-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Lager:

6785 Stk Nye Originaler På Lager
12946666
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

BSS127SSN-7 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
50mA (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
1.08 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
21.8 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
610mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
BSS127

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
BSS127SSN-7DITR
BSS127SSN-7DICT
BSS127SSN-7DIDKR
BSS127SSN7

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1