BS870Q-7-F
Producentens produktnummer:

BS870Q-7-F

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

BS870Q-7-F-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 300mW Surface Mount SOT-23-3

Lager:

8629 Stk Nye Originaler På Lager
12881992
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

BS870Q-7-F Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
300mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
BS870

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
BS870Q-7-FDIDKR
BS870Q-7-FDITR
BS870Q-7-FDICT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
vishay-siliconix

IRFP31N50L

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

stmicroelectronics

STB18NM60ND

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

vishay-siliconix

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

diodes

DMT6013LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN